產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
所有的納米壓痕試驗(yàn)都取決于精確的加載和位移數(shù)據(jù)，要求對(duì)加載到樣品上的載荷有精確的控制。KLA新一代 G200 型納米壓痕儀采用電磁驅(qū)動(dòng)的載荷裝置，從而保證測(cè)量的精確度，獨(dú)特的設(shè)計(jì)避免了橫向位移的影響。 KLA新一代 G200型納米壓痕儀的杰出設(shè)計(jì)帶來很多的便利性，包括方便的測(cè)試到整個(gè)樣品臺(tái)，精確的樣品定位，方便的確定樣品位置和測(cè)試區(qū)域，簡(jiǎn)便的樣品高度調(diào)整，以及快速的測(cè)試報(bào)告輸出。模塊化的控制器設(shè)計(jì)為今后的升級(jí)帶來極大的方便。
特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
- 廣受贊譽(yù)的高速測(cè)試選項(xiàng)可以和G200 型納米壓痕儀配合使用, 包括DCMII 和 XP 模塊以及樣品臺(tái)
- 快速進(jìn)行面積函數(shù)和框架剛度校對(duì)
- 精確和可重復(fù)的結(jié)果, 完全符合 ISO14577 標(biāo)準(zhǔn)
- 通過電磁驅(qū)動(dòng), 可在無與倫比的范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)整加載力和位移
- 結(jié)構(gòu)優(yōu)化, 適合傳統(tǒng)測(cè)試或全新應(yīng)用
- 模塊化選項(xiàng), 適合劃痕測(cè)試, 高溫測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試
- 強(qiáng)大的軟件功能, 包括對(duì)試驗(yàn)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制, 簡(jiǎn)化了的特殊測(cè)試方法的開發(fā)
應(yīng)用：
- 半導(dǎo)體器件, 薄膜
- 硬質(zhì)涂層, DLC薄膜
- 復(fù)合材料, 光纖, 聚合物材料
- 金屬材料, 陶瓷材料
- 無鉛焊料
- 生物材料, 生物及仿生組織等等
功能：
- 增強(qiáng)的載荷加載系統(tǒng)
- 增強(qiáng)的納米劃痕測(cè)試
- 強(qiáng)化的微摩擦磨損測(cè)試功能
- 粘彈性材料性能測(cè)量功能
- 恒應(yīng)變速率測(cè)試/可變應(yīng)變速率測(cè)試
- 連續(xù)剛度測(cè)量功能
- 增強(qiáng)的原位納米力學(xué)測(cè)試功能
- C高精度成像定位功能
- 接觸剛度成像功能
主要指標(biāo)：
| 位移測(cè)量方式 | 電容位移傳感器 |
| 壓頭總的位移范圍 | ≥ 1.5 mm |
| Max.壓痕深度 | > 500 um |
| 位移分辨率 | 0.01 nm |
| 加載模式 | 電磁力 |
| Max.載荷 (標(biāo)配) | > 500 mN |
| 載荷分辨率 | 50 nN |
| 高載荷選件 | 10 N/50 nN |
| DCM 壓痕選件 | 10 mN/1 nN |
| 框架剛度 | ≥ 5 x 106 N/m |
| 納米樣品臺(tái) | 200 mm X 200 mm |
| 定位精度 | 1 um |
| 定位控制模式 | 全自動(dòng)遙控 |
| 總的放大倍率 | 250 倍和 1000 倍 |
選項(xiàng)：
- Max.劃痕力：1000mN
- Max.劃擦深度：40um
- Max.磨損面積：400mm2
- Max.劃痕速度：100um/s
- 定量測(cè)試薄膜和基底的結(jié)合強(qiáng)度
- 表面抗劃擦能力
- 連續(xù)循環(huán)劃痕摩擦
- 壓頭保護(hù)功能
- 劃痕面積和體積
- 實(shí)現(xiàn)線性變載或恒定載荷模式下劃痕測(cè)試
- 連續(xù)剛度測(cè)試功能
- 材料的粘彈性測(cè)試功能
- 薄膜測(cè)試功能
- 功能-提供三維成像功能
- 功能-提供四維成像功能
- 自定義測(cè)試功能
- 數(shù)據(jù)極速采集功能
- 雙子星多維度磨損附件
- 測(cè)試附件
- 高精度成像附件
- 500°C 加溫附件
