●本裝置使用電阻蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)和離子源輔助清洗、輔助沉積和原位刻蝕進(jìn)行復(fù)合，用于制備特種薄膜，薄膜具有均勻性、附著力、抗損傷、低顆粒物污染等特點，是半導(dǎo)體制程中關(guān)鍵工序的核心裝備，其技術(shù)長期被美國、日本等國技術(shù)巨頭所壟斷，屬于國內(nèi)卡脖子裝備，也是制約國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域自主可控的關(guān)鍵設(shè)備，該設(shè)備的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有積極意義。
