產(chǎn)品概述
基于RTS-mini顯微系統(tǒng)而搭建，集成拉曼/熒光/光電流原位測(cè)試功能。該系統(tǒng)可原位探測(cè)拉曼、熒光及光電流信號(hào)。配合高精度微米電動(dòng)位移臺(tái)，實(shí)現(xiàn)Raman Mapping，PL Mapping以及激光誘導(dǎo)光電流成像（LBIC)。深度表征材料內(nèi)部的分子振動(dòng)能級(jí)與轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)結(jié)構(gòu)信息，光生載流子的生成與復(fù)合機(jī)制，器件吸收和電荷生成的微區(qū)特性，光電材料界面以及半導(dǎo)體結(jié)區(qū)的品質(zhì)分布等特性。
拉曼/熒光/光電流原位測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
| 拉曼/拉曼Mapping | 拉曼頻移范圍 | 60-6000cm-1 @532nm激光器 | ||||
| 共焦方式 | 光纖共聚焦 | |||||
| 高靈敏度 | 硅三階拉曼峰的信噪比好于20:1，并能觀察到四階峰 | |||||
| 空間分辨率 | ≤1μm@100X物鏡，NA0.9，532nm單縱模激光器 | |||||
| 光譜CCD探測(cè)器 | 分辨率≥2000x256 量子效率在700nm-870nm區(qū)間處>90%， 光譜范圍：200 ~ 1100 nm | |||||
| 熒光/熒光壽命成像 | 光譜掃描范圍 | 200-900nm | ||||
| *小時(shí)間分辨率 | 16ps | |||||
| 熒光壽命測(cè)量范圍 | 500ps-10μs | |||||
| 空間分辨率 | ≤1μm@100X物鏡@405nm皮秒脈沖激光器 | |||||
| 光電流/光電流成像 | 激光器（光源） | 標(biāo)配532nm激光器，能量穩(wěn)定性1%@4小時(shí) 可選配2路激光器用于光電流測(cè)試 | ||||
| 數(shù)據(jù)采集 | 電流源表：Keithley 2450 測(cè)量范圍：1nA – 1A 暗噪聲：50pA 分辨率：20fA 準(zhǔn)確度： 0.03% | |||||
| 探針臺(tái) | 直徑65mm真空吸附卡盤 探針座和樣品整體二維移動(dòng)，方便樣品位置與光斑位置重合 樣品位置單獨(dú)二維移動(dòng)，方便同類樣品更換 樣品位置移動(dòng)行程25mm，分辨率5μm 探針座：XYZ行程12mm，分辨率0.7μm 探針：鎢針，直徑5μm，10μm，20μm可選 | |||||
| 測(cè)試功能 | 光電流掃描（Mapping）：可以設(shè)定固定的電壓，逐點(diǎn)獲取電流值 I-V曲線掃描（Mapping）：可以設(shè)定指定的電壓區(qū)間，逐點(diǎn)獲取I-V曲線 | |||||
