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【動(dòng)態(tài)】劍橋大學(xué)舉辦新型時(shí)間分辨陰熒光測(cè)量系統(tǒng)Allalin Chronos安裝交付儀式

教育裝備采購(gòu)網(wǎng) 2019-12-25 11:44 圍觀(guān)910次

  2019年9月,劍橋大學(xué)Rachel Oliver教授及其團(tuán)隊(duì)聚集了來(lái)自英國(guó)科學(xué)和工業(yè)界的50多名研究人員,為其全新的時(shí)間分辨陰熒光測(cè)量系統(tǒng)Allalin Chronos的順利安裝和交付使用舉行了盛大的開(kāi)幕式!

  劍橋大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院院長(zhǎng)Lindsay Greer教授主持開(kāi)幕儀式,并對(duì)這臺(tái)設(shè)備獲得的時(shí)間分辨陰熒光結(jié)果和應(yīng)用進(jìn)行了許多深入而熱烈的討論,內(nèi)容涵蓋了從化合物半導(dǎo)體材料和器件到鈣鈦礦和地質(zhì)樣品的各種材料。Rachel Oliver教授隨后介紹了此設(shè)備的實(shí)用性,強(qiáng)調(diào)了此設(shè)備的順利安裝必將大促進(jìn)英國(guó)科學(xué)界在相關(guān)領(lǐng)域的研究,期待可以得到更多的創(chuàng)新性科研成果!

【動(dòng)態(tài)】劍橋大學(xué)舉辦新型時(shí)間分辨陰熒光測(cè)量系統(tǒng)Allalin Chronos安裝交付儀式

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開(kāi)幕式現(xiàn)場(chǎng)照片

  這款先進(jìn)的時(shí)間分辨陰熒光測(cè)量系統(tǒng)是由瑞士attolight自主研發(fā)生產(chǎn)的,Attolight公司CEO Samuel Sonderegger博士應(yīng)邀參加開(kāi)幕式,并與到場(chǎng)科學(xué)家進(jìn)行了深入的技術(shù)交流和溝通。

  作為上一款同時(shí)具備時(shí)間分辨和空間分辨的陰熒光測(cè)量系統(tǒng),attolight生產(chǎn)的Allalin Chronos具有如下的特技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用特點(diǎn):

  ?  Allalin Chronos系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)變溫、時(shí)間分辨、納米尺度分辨率的陰熒光分析。在連續(xù)模式下,系統(tǒng)采用高電流密度的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。在時(shí)間分辨模式下,相同的電子槍則為超快激光器所驅(qū)動(dòng),產(chǎn)生超短電子脈沖。系統(tǒng)的高效率定量CL收集系統(tǒng),有效保障時(shí)間分辨陰熒光光譜測(cè)試。

  ?  激發(fā)激光器與探測(cè)器之間同步,從而使皮秒的時(shí)間分辨陰熒光分析成為可能。脈沖模式與連續(xù)模式之間的切換是自動(dòng)化的,且僅需要幾分鐘,這使得系統(tǒng)能夠成為的多用戶(hù)設(shè)備,滿(mǎn)足不同用戶(hù)的研究需求和使用要求。

  ?  Allalin Chronos是專(zhuān)為那些需要獲取光譜動(dòng)力學(xué)信息的研究者們而量身打造的,具有納米空間分辨率及皮秒的時(shí)間分辨率。系統(tǒng)具有一整套超快探測(cè)器,探測(cè)波長(zhǎng)覆蓋紫外至近紅外波段(200 nm~1700 nm),盡可能優(yōu)化您的應(yīng)用。

  ?  該系統(tǒng)還可搭配超穩(wěn)液氦恒溫器使用,工作溫度覆蓋10 K至室溫。Allalin Chronos的多功能設(shè)計(jì)也使它能夠執(zhí)行其他先進(jìn)的表征測(cè)試,例如泵浦/探測(cè)光譜及動(dòng)態(tài)SEM。

  

附1:基于時(shí)間分辨陰熒光光譜的應(yīng)用及部分實(shí)例

  - 局域輻射和非輻射載流子壽命的測(cè)定

  - 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中載流子激發(fā)動(dòng)力學(xué)的分析

  - 先進(jìn)的泵浦/探測(cè)光譜

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利用時(shí)間分辨CL分析彎曲狀態(tài)下氧化鋅微米帶中的激子擴(kuò)散行為:沿微米帶徑向三個(gè)不同激發(fā)區(qū)域的時(shí)間分辨熒光光譜。根據(jù)測(cè)試結(jié)果,可以建立并驗(yàn)證應(yīng)力誘導(dǎo)的激子擴(kuò)散模型。(ACS Nano, 8(4), 3412-3420, 2014)

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InGaN/GaN量子阱中局域載流子復(fù)合。(Applied Physics Letters 109, 232103 (2016))

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在氮化鎵中圍繞單一位錯(cuò)缺陷的CL強(qiáng)度與有效壽命。(Applied Physics Letters 109, 042101 (2016))

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單根InGaN/GaN核/殼微米柱的時(shí)間分辨CL衰減及CL成像結(jié)果。(Applied Physics Letters 112, 052106 (2018))

  

附2:Rachel Oliver教授利用Attolight陰熒光光譜儀開(kāi)展的部分研究工作及鏈接:

  [1] T. J. Puchtler, A. Woolf, T. Zhu, D. Gachet, E. L. Hu, R. A. Oliver. Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities. ACS Photonics, 2015, 2, 137-143.

  (https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ph500426g)

  [2] T. Zhu, D. Gachet, F. Tang, W. Y. Fu, F. Oehler, M. J. Kappers, P. Dawson, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Local carrier recombination and associated dynamics in m-plane InGaN/GaN quantum wells probed by picosecond cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 232103.

  (https://doi.org/10.1063/1.4971366)

  [3] C. J. Humphreys, F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kovacs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, R. A. Oliver. Atomic Resolution Imaging of Dislocations in AlGaN and the Efficiency of UV LEDs. Microsc. Microanal., 2018 ,4, 4-5.

  (https://doi.org/10.1017/S143192761800051X)

  [4] F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’ Hanlon, A. Kovács, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Lett., 2017, 17, 4846-4852.

  (https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b01697)

  [5] F. C-P. Massabuau, P. Chen, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kov′acs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R.A. Oliver. Alloy fluctuations at dislocations in III-Nitrides: identification and impact on optical properties. Proceedings Volume 10532, Gallium Nitride Materials and Devices XIII; 105320R (2018)

  (https://doi.org/10.1117/12.2288211)

  

附3:部分國(guó)內(nèi)專(zhuān)家學(xué)者利用Attolight陰熒光光譜儀開(kāi)展的研究工作及鏈接:

  [1] X. Fu, G. Jacopin, M. Shahmohammadi, R. Liu, M. Benameur, J-D. Ganière, J. Feng, W. Guo, Z. Liao, B. Deveaud, D. Yu. Exciton Drift in Semiconductors under Uniform Strain Gradients: Application to Bent ZnO Microwires. ACS Nano, 2014, 8, 3412-3420.

  (https://doi.org/10.1021/nn4062353)

  [2] M. Shahmohammadi, G. Jacopin, X. Fu, J-D, Ganière, D. Yu, B. Deveaud. Exciton hopping probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2015, 107, 141101.

  (https://doi.org/10.1063/1.4932098)

  [3] Y. Song, L. Zhang, Y. Zeng, L. Qin, Y. Zhou, Y. Ning, L. Wang. Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence. Materials 2018, 11(6), 1049.

  (https://doi.org/10.3390/ma11061049)

  [4] X. Xie, B. Li, Z. Zhang, S. Wang, D. Shen. Controlled compensation via nonequilibrium electrons in ZnO. Sci. Rep., 2018, 8, 17020.

  (DOI:10.1038/s41598-018-35178-w)

  

附4:相關(guān)產(chǎn)品

        時(shí)間分辨精細(xì)陰熒光分析系統(tǒng):http://www.buyu5683.com/product/20160315784.shtml

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