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浮區(qū)法單晶爐—鍍金雙瓣對焦助力介電材料研究

教育裝備采購網 2017-07-10 12:46 圍觀600次

  隨著信息、電子和電力工業(yè)的快速的發(fā)展,以低成本生產具有高介電常數(shù)損耗的材料成為當前關注的熱點,高介電常數(shù)材料無論實在電力工程,還是在微電子行業(yè)都具有十分重要的作用,研究高介電常數(shù)材料的結構與性能,對其介電機理、壓敏機理和晶界效應的探討具有深遠意義。

  (InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不僅具有高介電系數(shù),同時具有較小的介電損耗,是一種具應用前景的巨介電材料。這種優(yōu)異的介電性質的產生機理尚處于研究階段,單晶樣品是分析材料本征性質的有利武器。由于介電測試對于樣品尺寸的特殊要求,為更真實地反應樣品的介電性質,獲得大尺寸、高質量的(InNb)0.1Ti0.9O2單晶變得尤為重要。

  浮區(qū)法單晶爐高效鍍金雙瓣對焦

  哈爾濱工業(yè)大學宋永利等人利用光學浮區(qū)法,通過對生長條件(氣氛、氣壓、流量、生長速率)的控制,終獲得了大尺寸(4mm直徑、30mm長)的單晶樣品。該單晶樣品的制備使用的是Quantum Design公司推出的光學浮區(qū)法單晶爐。這款高性能單晶爐采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設計,高溫度超過2000℃;系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設計(無需額外冷卻系統(tǒng)),穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的高精度恒定加熱功率,可制備高質量的單晶。

  

光學浮區(qū)法單晶爐 型號:IRF01-001-00

  浮區(qū)法的主要優(yōu)點是不需要坩堝,故加熱不受坩堝熔點限制,因此可以生長熔點高材料;生長出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性,在生長過程中容易觀察等。浮區(qū)法晶體生長過程中,熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來保持,因此,材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度,故浮區(qū)法對加熱技術和機械傳動裝置的要求都比較嚴格。

  關于Quantum Design

  Quantum Design是全球的科研設備制造商和儀器分銷商,于1982年創(chuàng)建于美國加州圣迭戈。公司生產的 SQUID 磁學測量系統(tǒng) (MPMS) 和材料綜合物理性質測量系統(tǒng) (PPMS) 已經成為公認的測量平臺,廣泛的分布于上幾乎所有材料、物理、化學、納米等研究領域的實驗室。2007年,Quantum Design并購了歐洲大的儀器分銷商LOT公司,現(xiàn)已成為著名的科學儀器領域的跨國公司。目前公司擁有分布于英國、美國、法國、德國、巴西、印度,日本和中國等地區(qū)的數(shù)十個分公司和辦事處,業(yè)務遍及全球一百多個和地區(qū)。中國地區(qū)是Quantum Design公司活躍的市場,公司在北京、上海和廣州設有分公司或辦事處。幾十年來,公司與中國的科研和教育領域的合作卓有成效,為中國科研的進步提供了先進的設備以及高質量的服務。

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