近期向三星電子供貨原子層刻蝕（ALE(Atomic layer etch)）和區(qū)域選擇原子層沉積（ASD(area selective deposition)）設(shè)備.
設(shè)備由2個工藝模組和傳送模組構(gòu)成的 Cluster type ，工藝整合一體化程序. 擁有500℃以上高溫及臭氧和等離子工藝能力,Z為開發(fā)半導體元件的次世代的設(shè)備. ALE(原子層刻蝕)設(shè)備區(qū)別ALD(原子層沉積)設(shè)備是一款可利用原子層單位刻蝕沉積膜的設(shè)備,ASD(區(qū)域選擇沉積)區(qū)別ALD(原子層沉積)則是選擇性指定區(qū)域原子層沉積的設(shè)備.
目前很多學校,研究所以及企業(yè)采用ALE和ASD工藝積極研發(fā)未來前端集成元件. 期待ALE/ASD設(shè)備對未來半導體前端技術(shù)發(fā)展有較多的貢獻.
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