摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片，所述外延片包括襯底、依次覆蓋在所述襯底上第一半導體層、有源層、電子阻擋層和第二半導體層，所述第一半導體層包括N型GaN層，所述第二半導體層包括P型GaN層，所述電子阻擋層為單層的P-InxAlyGa1-x-yN（0≤X＜1，0＜Y＜1）或P-InxAlyGa1-x-yN/P-GaN（0≤X＜1，0＜Y＜1）超晶格。本發(fā)明通過在靠近有源層時電子阻擋層中Al的成分非常小，從而降低晶格失配，避免了不必要的電子與空穴的復合現(xiàn)象；而在靠近P型層時，勢壘高度逐漸降低，減小了空穴注入的難度，從而改善了電子和空穴的復合效率，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人葉蕓;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210438181.7
- 申請時間2012年11月06日
- 申請公布號CN102931306A
- 申請公布時間2013年02月13日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;
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