摘要：本實(shí)用新型公開了一種高壓發(fā)光二極管芯片，屬于半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域。該芯片包括：襯底層、依次層疊在襯底層上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層，芯片上設(shè)有凹槽，凹槽從透明導(dǎo)電層延伸至第一半導(dǎo)體層，凹槽內(nèi)設(shè)有用于將芯片分割成多個(gè)子芯片的隔離槽，隔離槽從第一半導(dǎo)體層延伸至襯底層，芯片上還設(shè)有第一電極、第二電極和電氣連接結(jié)構(gòu)，第一電極設(shè)于透明導(dǎo)電層上，第二電極設(shè)于凹槽的第一半導(dǎo)體層上，電氣連接結(jié)構(gòu)將一個(gè)子芯片的透明導(dǎo)電層與另一個(gè)子芯片的第一半導(dǎo)體層連接，凹槽的側(cè)壁與第一半導(dǎo)體層的頂面之間的銳角為15～45度，隔離槽的側(cè)壁與襯底層的頂面之間的銳角為40～60度。本實(shí)用新型通過上述方案增強(qiáng)了芯片可靠性。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人程素芬;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201220399415.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年08月13日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN202736964U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年02月13日
- 分類號(hào)H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;
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