摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎(chǔ)工藝條件下獲取測(cè)試硅片的基準(zhǔn)膜厚；進(jìn)行多組可信的實(shí)驗(yàn)獲得不同實(shí)驗(yàn)條件下測(cè)試硅片的膜厚，其中每組實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)條件為僅改變基礎(chǔ)工藝條件的工藝氣體流量；以及根據(jù)多組可信的實(shí)驗(yàn)所得到的多個(gè)測(cè)試硅片的膜厚相對(duì)于基準(zhǔn)膜厚的多個(gè)膜厚變化值，以及多個(gè)測(cè)試硅片的膜厚所對(duì)應(yīng)的氣體流量相對(duì)于基礎(chǔ)工藝條件的氣體流量的多個(gè)流量變化值計(jì)算得到膜厚流量變化關(guān)系模型。本發(fā)明還提供了一種膜厚調(diào)節(jié)方法，根據(jù)膜厚流量變化關(guān)系模型調(diào)節(jié)工藝氣體的流量以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)膜厚，縮短了機(jī)臺(tái)的調(diào)試時(shí)間，提高了調(diào)試效率。
- 專利類型發(fā)明專利
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