摘要：本發(fā)明公開了一種應用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎(chǔ)工藝條件下獲取測試硅片的基準膜厚；進行多組可信的實驗獲得不同實驗條件下測試硅片的膜厚，其中每組實驗的實驗條件為僅改變基礎(chǔ)工藝條件的工藝氣體流量；以及根據(jù)多組可信的實驗所得到的多個測試硅片的膜厚相對于基準膜厚的多個膜厚變化值，以及多個測試硅片的膜厚所對應的氣體流量相對于基礎(chǔ)工藝條件的氣體流量的多個流量變化值計算得到膜厚流量變化關(guān)系模型。本發(fā)明還提供了一種膜厚調(diào)節(jié)方法，根據(jù)膜厚流量變化關(guān)系模型調(diào)節(jié)工藝氣體的流量以實現(xiàn)目標膜厚，縮短了機臺的調(diào)試時間，提高了調(diào)試效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201410174251.1
- 申請時間2014年04月28日
- 申請公布號CN103924223B
- 申請公布時間2016年05月25日
- 分類號C23C16/52(2006.01)I;
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