LVEM5臺(tái)式透射電子顯微鏡

（Bench-top TEM）

●  小型臺(tái)式透射電子顯微鏡（TEM）

●  多用途臺(tái)式電子顯微鏡

●  透射電鏡（TEM）、電子衍射（ED）、掃描電鏡（SEM）、掃描透射電鏡（STEM）四種成像模式

 ●  分辨率：1.5nm（TEM）；10nm（SEM）

 ●  Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍：高亮度、高對(duì)比度

觀察生物樣品無(wú)需染色

●  體積僅為傳統(tǒng)透射電鏡1/10，操作維護(hù)簡(jiǎn)單

臺(tái)式設(shè)計(jì)：體積小巧，靈活性高，價(jià)格低

傳統(tǒng)透射電子顯微鏡體積龐大，對(duì)放置環(huán)境有著嚴(yán)格的要求，并且需要制冷機(jī)等外置設(shè)備。通常會(huì)占據(jù)整間實(shí)驗(yàn)室。 LVEM5從根本上區(qū)別于傳統(tǒng)電鏡，尺寸較傳統(tǒng)電鏡縮小了90%，對(duì)放置環(huán)境無(wú)嚴(yán)格要求，無(wú)需任何外置冷卻設(shè)備，可以安裝用戶所需的任意實(shí)驗(yàn)室或辦公室桌面，是目前性價(jià)比較高的電子顯微鏡。

Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍：高亮度/高對(duì)比度

電子槍類型是決定電鏡性能的重要參數(shù)。LVEM5采用特殊設(shè)計(jì)的倒置肖特基（Schottky）場(chǎng)發(fā)射電子槍，提供高亮度高相干的電子束。電子槍使用壽命可達(dá)2000小時(shí)以上。

傳統(tǒng)TEM多采用100kV以上電子束加速電壓，高能電子束不能區(qū)分輕材料中相近的密度和原子序數(shù)，對(duì)于輕元素樣品（C、N、O樣品，生物樣品）難以獲得好的對(duì)比度，影響圖像質(zhì)量。

LVEM5采用5kV低電壓設(shè)計(jì)，低電壓電子束對(duì)密度和原子序數(shù)有很高的靈敏度，對(duì)于小到0.005g/cm3的密度差別仍能得到很好的圖像對(duì)比度。例如，對(duì)20nm碳膜樣品，5KV電壓下比100KV電壓下對(duì)比度提高10倍以上。而LVEM5的空間分辨率在低電壓下仍能達(dá)到1.5nm。

TEM-STEM-ED-SEM 四種成像模式

TEM模式

LVEM5是臺(tái)式透射電子顯微鏡，同時(shí)也是低加速電壓（5kV）透射電鏡。同傳統(tǒng)透射電鏡（80-200kV）相比，增加了電子束與樣品的相互作用，從而提高了圖像對(duì)比度

◆ 提高了圖像對(duì)比度

◆ 無(wú)需重金屬染色即可觀察輕元素樣品（如生物樣品）

◆ 避免染色造成的假象，觀察樣品真實(shí)結(jié)構(gòu)

添加TEM升選件，分辨率提升至1.5nm，放大倍數(shù) 50萬(wàn)倍

SEM模式

掃描電鏡（SEM）模式可用于觀察任意固體樣品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探測(cè)器，提供多個(gè)觀測(cè)角度。

普通掃描電鏡在觀察不導(dǎo)電樣品時(shí)，需要對(duì)樣品進(jìn)行噴金、噴碳處理，以增加樣品導(dǎo)電性。LVEM5的另一優(yōu)點(diǎn)在于，無(wú)需噴金可直接觀測(cè)不導(dǎo)電樣品。

分辨率10nm，放大倍數(shù) 640x - 100,000x，圖像采集像素：2048 x 2048

STEM模式

在掃描透射電子顯微（STEM）模式下，電子束被聚焦到很小直徑，在樣品上進(jìn)行掃描?？捎糜谟^察厚度較厚的樣品或染色樣品

ED模式

電子衍射（ED）可用于確定樣品的晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶度、相組成.

TEM：碳納米管

ED：ZnO單晶