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CPX-VF低溫超導(dǎo)磁體探針臺(tái)

CPX-VF低溫超導(dǎo)磁體探針臺(tái)
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產(chǎn)品報(bào)價(jià): 面議
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Lake Shore
Janis
高教
詳細(xì)說(shuō)明

  Lake Shore的CPX-VF探針臺(tái)增加了±2.5T的超導(dǎo)磁體,可以進(jìn)行C-V、I-V、微波和電光探測(cè),以及平面外垂直場(chǎng)超導(dǎo)磁測(cè)量。研究人員可以使用CPX-VF進(jìn)行霍爾效應(yīng)測(cè)量和測(cè)試磁輸運(yùn)參數(shù)。CPX-VF 是Lake Shore探針臺(tái)中結(jié)合微波和磁場(chǎng)測(cè)量的優(yōu)秀探針臺(tái)之一。

  CPX-VF在直徑達(dá)51mm(2英寸)的晶圓上實(shí)現(xiàn)真正的90°晶圓探測(cè)。樣品可在冷卻過(guò)程中保持較高溫度,降低了樣品冷凝的可能性,這是測(cè)量有機(jī)材料的關(guān)鍵要求。

  CPX-VF使用液氦或液氮進(jìn)行連續(xù)流制冷(使用超導(dǎo)磁體時(shí)必須使用液氦),其操作溫度范圍為4.2 K到400 K,使用低溫選件可將基礎(chǔ)低溫?cái)U(kuò)展到2 K。

  主要特征

  √  溫度范圍4.3 K~400 K

  √  可選低溫1.9 K

  √  垂直磁場(chǎng)±2.5 T

  √  最大2英寸(51 mm)樣品

  √  樣品可面內(nèi)±5°旋轉(zhuǎn)

  √  樣品振動(dòng)<30 nm可選

  √  90°探針樣品測(cè)量

  √  霍爾效應(yīng)測(cè)試選件

  √  超高真空選件

  √  可定制真空腔聯(lián)用轉(zhuǎn)移樣品,避免樣品暴露在大氣環(huán)境

  主要參數(shù)及描述

磁場(chǎng)


磁體類型

超導(dǎo)螺線管

磁場(chǎng)方向

垂直方向(垂直于樣品面)

磁場(chǎng)控制

電流控制

磁場(chǎng)大小

最大±25 KOe(±2.5 T)

磁場(chǎng)均勻性

0.5% 10 mm直徑;1% 25 mm直徑

探針針尖移動(dòng)

<5μm 整個(gè)磁場(chǎng)范圍內(nèi)

溫度范圍


最多配置6個(gè)探針臂

基礎(chǔ)溫度4.3 K,溫度控制范圍4.4 K ~ 400 K

安裝PS-LT低溫選件

基礎(chǔ)溫度1.9 K,溫度控制范圍2 K ~ 400 K

溫度穩(wěn)定性

液氦

基礎(chǔ)溫度 (無(wú)加熱控制)

±15 mK

<10 K

±50 mK

10 K ~ 100 K

±20 mK

101 K ~ 250 K

±15 mK

251 K ~ 350 K

±15 mK

351 K ~ 400 K

±50 mK

真空

以TPS-FRG分子泵為標(biāo)準(zhǔn)

PS-HV-CPX選件

抽真空時(shí)間

30 min (<1 × 10-3Torr)

10 min (<1 × 10-3Torr)

室溫

<5 × 10-4Torr

<5 × 10-6 Torr

基礎(chǔ)溫度

<1 × 10-5Torr

<5 × 10-7Torr

最高溫度

<5 × 10-5Torr

<5 × 10-7Torr

循環(huán)時(shí)間


總循環(huán)

4 h

抽真空

0.5 h

探針臺(tái)冷卻

2 h

探針臺(tái)升溫

1.5 h

樣品


最大尺寸

51 mm(2英寸)

樣品背光接口

不可選

樣品旋轉(zhuǎn)

±5°樣品面內(nèi)旋轉(zhuǎn)

樣品振動(dòng)

<300 nm(標(biāo)準(zhǔn)),<30 nm(配置減震選件PS-PVIS)

探針配置


最大探針數(shù)

6

探針臂溫度計(jì)

用于監(jiān)視探針臂的溫度

冷卻探針支架

<20 K(樣品在基礎(chǔ)溫度下)

探針支架

連接磁體防輻射屏熱沉

探針臂支架

連接防輻射屏熱沉

DC/RF探針

電絕緣>100GΩ用于低漏電流測(cè)量

微波探針

頻率范圍從DC到67GHz

光纖探針

可用于電光測(cè)量

落針?lè)秶?/p>

所有探針均可在直徑為 25.4 毫米(1 英寸)的圓內(nèi)落針

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