兼容TeslatronPT VTl的3He插件，變溫范圍300 mK到300K，@350mK制冷功率為50 μW，樣品空間直徑43 mm，樣品置于真空環(huán)境。
? 電學(xué)輸運(yùn)測量研究
強(qiáng)磁場和極低溫環(huán)境下的霍爾效應(yīng)和量子霍爾效應(yīng)測量
? 低維物理研究
適用于研究納米線、納米管、量子點(diǎn)和工維電子氣等低維材料在極低溫和強(qiáng)磁場環(huán)境中的響應(yīng)
? 自旋電子學(xué)研究
在強(qiáng)磁場和極低溫環(huán)境中進(jìn)行自旋操控和數(shù)據(jù)存儲研究
主要特點(diǎn)
? 拓展無液氦超導(dǎo)磁體系統(tǒng)TeslatronPT的溫區(qū)范圍至300 mK以下
? 可獲得低于300 mK的溫度，并能保持40hrs以上；在350 mK具備50 μW的制冷功率，并能保持6hrs以上
? HelioxVT適配于50mm孔徑的低溫交換氣環(huán)境，無需液氦制冷
? 當(dāng)HelioxVT插件處于一個(gè)新的或正在運(yùn)行的VTI中時(shí)，樣品溫度范圍可以拓展至低于300 mK
? 在樣品水平平面內(nèi)沒有液氦，適用于中子或X射線散射實(shí)驗(yàn)
? 兼容直徑50 mm VTI系統(tǒng)
? 無需1 K池預(yù)冷-沒有額外的室溫氣路，使其操作簡易，可獨(dú)立操作
基本參數(shù)
| Base temperature | ≤ 300 mK for 40 hrs with no applied heat load |
| Cooling power | < 350 mK for 6 hrs with 50μW applied |
| Temperature range | 300 mK to 300 K |
| Temperature stability | ± 3 mK below 1.2K ; ± 0.1 K above 1.2 K |
| HelioxVT Sample space | 43 mm diameter |
