四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐是一種近幾年新發(fā)展起來(lái)的高溫材料合成設(shè)備，非常適合生長(zhǎng)化學(xué)性質(zhì)活潑但熔點(diǎn)高（一般在3000℃左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2、UPt3、V3Si、URu2Si2、RE2Co17、CePd2Al3、REFe10Ti2、Nd2Fe14B、URhAl、UNiAl和RENi5等合金單晶。
四電弧高溫單晶系統(tǒng)在晶體生長(zhǎng)中的過(guò)程如下：先將原料放在旋轉(zhuǎn)的銅坩堝中，之后四個(gè)電同時(shí)放電形成高溫熔化原料，在精密的提拉系統(tǒng)控制下使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。
中國(guó)科學(xué)院物理研究所材料基因組研究平臺(tái)（懷柔科學(xué)城）致力于建設(shè)成為我國(guó)、規(guī)模大、手段齊全的先進(jìn)材料基因組研究平臺(tái)，以提升我國(guó)在新材料研發(fā)與制造領(lǐng)域的研究水平，同時(shí)支撐我國(guó)物質(zhì)科學(xué)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究與應(yīng)用基礎(chǔ)研究綜合實(shí)力的跨越式發(fā)展。我們Quantum Design 中國(guó)子公司非常榮幸將日本GES公司設(shè)計(jì)和制造的四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐系統(tǒng)于近日安裝于該平臺(tái)，該系統(tǒng)將為用戶(hù)單位在非常規(guī)超導(dǎo)電性、非費(fèi)米液體行為及非常規(guī)量子臨界行為等諸領(lǐng)域的科研工作提供相關(guān)單晶樣品制備支持！
四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐外觀圖：
四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐原理示意圖:
四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐晶體生長(zhǎng)過(guò)程實(shí)物圖:
【產(chǎn)品詳情】
