[報(bào)告簡(jiǎn)介]
浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)技術(shù)通過固-液過程實(shí)現(xiàn)單晶生長(zhǎng)，由于其晶體生長(zhǎng)過程中無(wú)坩堝污染、生長(zhǎng)狀態(tài)便于觀察、可獲得大尺寸優(yōu)質(zhì)單晶等諸多優(yōu)點(diǎn)，目前已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、磁性材料、鐵電材料、熱電材料、光學(xué)晶體等諸多研究領(lǐng)域。尤其近年來(lái)德國(guó)ScIDre公司新發(fā)展的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)3000°C高溫及300bar高壓；同時(shí)，加利福尼亞大學(xué)的Stephen D. Wilson等人近期與ScIDre公司合作搭建了高設(shè)計(jì)壓力高達(dá)1000bar的浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)。另外，Quantum Design 日本也已相繼推出了新一代鹵素?zé)舾^(qū)爐和激光浮區(qū)爐，前者采用了全新的高效反射鏡設(shè)計(jì)方案，而后者則采用了特的溫度梯度優(yōu)化方案及先進(jìn)的溫控技術(shù)；日本GES公司推出的四電弧法單晶爐系統(tǒng)也在高熔點(diǎn)金屬間化合物晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域發(fā)揮著愈來(lái)愈大的作用。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步和發(fā)展，各種端單晶生長(zhǎng)條件也不斷刷新記錄，我們相信隨著浮區(qū)法和四電弧法單晶生長(zhǎng)技術(shù)的不斷突破，今后也會(huì)有更多的優(yōu)質(zhì)單晶材料服務(wù)于廣大科技工作者。
本報(bào)告將簡(jiǎn)述目前市面上常見的幾種浮區(qū)法（以加熱源不同可分為：鹵素?zé)?、氙燈、激光等三種類型）和四電弧法晶體生長(zhǎng)技術(shù)的基本原理，并將重點(diǎn)介紹一些近幾年國(guó)內(nèi)外單晶爐用戶已發(fā)表的文獻(xiàn)，文獻(xiàn)中的單晶材料包括：β-Ga2O3、Ca10Cr7O28、 (InNb)0.1Ti0.9O2、Ruby、SmB6、Ba2Co2Fe12O22、Nd2Mo2O7、SrRuO3、La4Ni3O10and Pr4Ni3O10、Li(Mn,Fe)PO4、GdTiO3、Nd2Zr2O7、Li2CuO2、Hf0.86Y0.13Eu0.01O1.93、Ce0.98La0.02Ir3Si2、Mn3Sn等，希望通過這些案例的介紹能對(duì)大家今后的工作提供些啟發(fā)。
| 鹵素?zé)舾^(qū)爐 | 激光浮區(qū)爐 | 氙燈浮區(qū)爐 | 四電弧法單晶爐 |
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[主講人介紹]
李正才 博士
李正才博士，博士畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院物理研究所，德國(guó)馬克斯?普朗克固體物理研究所博士后，專業(yè)為凝聚態(tài)物理，科研背景為晶體生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)和物性表征等相關(guān)領(lǐng)域，2015年加入Quantum Design中國(guó)子公司后，擔(dān)任高產(chǎn)品經(jīng)理職務(wù)，主要負(fù)責(zé)各種晶體生長(zhǎng)相關(guān)產(chǎn)品及X射線殘余應(yīng)力分析儀的技術(shù)與應(yīng)用工作。
[報(bào)告時(shí)間]
開始2020年05月14日 14:00
結(jié)束2020年05月14日 15:00
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