近年來(lái)，非晶態(tài)In-Ga-Zn-O(a-IGZO)材料。主要用作背板的通道材料。平板顯示器(FPD)的TFT由于其優(yōu)越性. 具有均勻性好、通斷電流大等特點(diǎn);與其他無(wú)定形氧化物相比，具有更高的載流子遷移率.
研發(fā)IGZO工藝用高生產(chǎn)率配置ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用獨(dú)創(chuàng)技術(shù)，將多元系氧化物IGZO的組成比控制在個(gè)別應(yīng)用領(lǐng)域元件所需的精確組合比。特別是 GD Series的應(yīng)用，可在多個(gè)大面積基板上沉積ALD，有望在目前迅速應(yīng)用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供卓越的質(zhì)量競(jìng)爭(zhēng)力和高生產(chǎn)率.
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