近日，德國ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐在中國科學(xué)院物理研究所懷柔園區(qū)材料基因組研究平臺(tái)順利完成安裝調(diào)試。HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃甚至更高的生長溫度，晶體生長腔至大壓力可達(dá)300 bar，至低可實(shí)現(xiàn)10-5 mbar的高真空，適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。
ScIDre單晶爐技術(shù)特點(diǎn)：
? 采用垂直式光路設(shè)計(jì)
? 采用高照度氙燈，多種功率規(guī)格可選
? 熔區(qū)溫度：至高可達(dá)3000℃
? 熔區(qū)壓力：10 bar/50 bar/100 bar/150 bar/300 bar等多種規(guī)格可選
? 氧氣/氬氣/氮?dú)?空氣/混合氣等多種氣路可選
? 采用光闌控制技術(shù)，加熱功率從零到百分之百連續(xù)可調(diào)
? 樣品腔可實(shí)現(xiàn)至低10-5 mbar真空環(huán)境
? 豐富的可升選件
中國科學(xué)院物理研究所除了聚焦基礎(chǔ)前沿問題，扎根中關(guān)村科研攻關(guān)外，還積響應(yīng)我國科技戰(zhàn)略布局，投入北京科創(chuàng)中心懷柔科學(xué)城、粵港澳大灣區(qū)科創(chuàng)中心松山湖材料實(shí)驗(yàn)室以及長三角物理研究中心的建設(shè)。Quantum Design中國非常榮幸將德國ScIDre公司推出的HKZ高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐安裝于該平臺(tái)，該系統(tǒng)將為用戶單位在氧化物晶體生長及各種新材料探索等諸領(lǐng)域的科研工作提供相關(guān)單晶樣品制備支持！
德國ScIDre公司的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐外觀圖：
系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)實(shí)物圖：
參考信息來源：
