在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，通過規(guī)?；男⌒突图苫瘉硖岣咴阅芎蜏p少耗電量幾乎達(dá)到了物理極限。另外，隨著內(nèi)存的遺傳體越來越高和薄，衰變的可能性也會增加，因此會減少元件的可靠性。
為了克服半導(dǎo)體工程的微細(xì)化局限性，可以利用層層堆積的三維集成工程——M3D(Monolithic 3D)技術(shù)，而不是將現(xiàn)有的元件水平配置的結(jié)構(gòu)。M3D技術(shù)可以確保集成度、性能及經(jīng)濟性，因此為了商用化，很多企業(yè)及研究所正在積極進(jìn)行R&D。 然而，在M3D集成過程中，可能會出現(xiàn)下層器件中摻雜劑的擴散、特性變化和布線尺寸變化等，因此上層工藝溫度存在限制。為了防止下級的性能下降，上部通道物質(zhì)的工程溫度必須維持在450度以下。由于IGZO可以在低溫下沉積，因此很多研究將IGZO應(yīng)用于M3D元件，如CMOS元件或在RRAM上疊加IGZO OSFET等。 Z近由于IGZO TFT的長時間retention導(dǎo)致的非常低的off-current(Ioff)特性，也適用于capacitor-less DRAM(2T0C)的開發(fā)。ALD IGZO具有conformal增著和優(yōu)秀的厚度調(diào)節(jié)，cycle數(shù)調(diào)節(jié)的組成control非常自由，因此可以很容易形成不同的雙層結(jié)構(gòu)，被期待積極應(yīng)用于優(yōu)秀的M3D元件。
NCD公司正在開發(fā)采用獨創(chuàng)技術(shù)的IGZO工程用配置ALD設(shè)備(LucidaTM GD Series)，目前在大面積上也確保了優(yōu)秀的薄膜性能和高產(chǎn)能。此外，LucidaTM S Series也有望用于應(yīng)用IGZO TFT的Logic、Memory和electro optics等M3D integration的開發(fā)。LucidaTM S series是半導(dǎo)體用高酸性ALD裝置，大小為300毫米wafer，可進(jìn)行thermal和plasma ALD工程。可用于具有優(yōu)良性能和薄膜均勻度的多種氧化物(HfO2, ZrO2)及金屬(TiN, TaN, Ru)薄膜的沉積。
