臺式高性能多功能PVD薄膜制備系列—nanoPVD
基于多年大型薄膜制備系統(tǒng)的設(shè)計與研發(fā)所積累的豐富經(jīng)驗，Moorfield Nanotechnology深入了解了劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國理工學(xué)院、巴斯大學(xué)、?？巳卮髮W(xué)、倫敦瑪麗女王大學(xué)等多所大學(xué)科研團隊的具體需求，經(jīng)過不懈努力推出了臺式高性能多功能PVD薄膜制備系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品是為高水平學(xué)術(shù)研究研發(fā)的小型物理氣相沉積設(shè)備。推出之后短短幾年時間已經(jīng)在歐洲銷售了數(shù)十臺，該系列產(chǎn)品包含了磁控濺射、金屬/機物熱蒸發(fā)系統(tǒng)。這些設(shè)備雖然體積小巧，但是性能，能夠快速實現(xiàn)高質(zhì)量納米薄膜、異質(zhì)結(jié)的制備，通常在大型設(shè)備中才有的共濺射和反應(yīng)濺射功能也可以在該系列產(chǎn)品上實現(xiàn)。的有機物沉積系統(tǒng)更是該系列的一大特色。便捷的操作、智能的控制、的制備效率讓您的學(xué)術(shù)研究進入快車道。
設(shè)備型號
臺式高質(zhì)量多功能薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A
nanoPVD S10A是Moorfield Nanotechnology傾力打造的一款高度集成化智能化的臺式磁控濺射系統(tǒng)。該系統(tǒng)雖然體積小巧，但是功能出色、配置齊全。該型號的推出是為了解決傳統(tǒng)臺式設(shè)備功能簡單不能滿足高端學(xué)術(shù)研究的問題。劍橋大學(xué)、諾森比亞大學(xué)、帝國理工學(xué)院等用戶都對這款臺式設(shè)備給予了很高的評價。
nanoPVD S10A多可安裝3個水冷式濺射源，可實現(xiàn)高功率持續(xù)運行，靶材尺寸與大型系統(tǒng)一樣是行業(yè)通用尺寸。系統(tǒng)可以實現(xiàn)兩源共濺射方案，可以實現(xiàn)反應(yīng)濺射方案，多可同時控制3路氣體。系統(tǒng)具有分子泵，可快速達到5*10-7mbar高真空。腔體取放樣品非常方便，樣品臺尺寸4英寸，系統(tǒng)有智能化的觸屏控制系統(tǒng)，采用完備的安全設(shè)計方案。
nanoPVD S10A可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等。
主要特點： ◎ 水冷式濺射源，通用2英寸設(shè)計 ◎ MFC流量計高精度控制過程氣體 ◎ DC/RF濺射電源可選 ◎ 全自動觸摸屏控制方案 ◎ 可設(shè)定、儲存多個濺射程序 ◎ 4英寸基片 ◎ 本底真空<5*10-7mbar ◎ 系統(tǒng)維護簡單 ◎ 完備的安全性設(shè)計 ◎ 兼容超凈間 ◎ 性能穩(wěn)定 | 選件： ◎ 機械泵類型可選 ◎ 樣品腔快速充氣 ◎ 自動高精度壓力控制 ◎ 添加過程氣體 ◎ 500℃襯底加熱 ◎ 襯底旋轉(zhuǎn)，Z向調(diào)節(jié) ◎ 三源濺射系統(tǒng) ◎ 共濺射方案 ◎ DC/RF濺射電源可選 ◎ 濺射電源自動切換系統(tǒng) ◎ 晶振膜厚測量系統(tǒng) |
典型配置方案：
金屬沉積：2個濺射靶，配DC電源與電源切換系統(tǒng)，襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng)，晶振膜厚測量系統(tǒng)?！ ?/p>
絕緣材料沉積：2個濺射靶，配RF電源與電源切換系統(tǒng)，襯底加熱與氧氣通入氣路，襯底Z向調(diào)節(jié)與擋板系統(tǒng)，晶振膜厚測量系統(tǒng)?！ ?/p>
反應(yīng)/共濺射：三個濺射靶，配備DC/RF電源與自由切換系統(tǒng)，三路過程氣體（Ar、O2、N2）用于沉積氧化物或氮化物。
臺式超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng) - nanoPVD S10A-WA
Moorfield Nanotechnology根據(jù)客戶超大樣品的需求推出了nanoPVD-S10A-WA超大面積高質(zhì)量薄膜磁控濺射系統(tǒng)。該型號是nanoPVD-S10A的拓展型號，用于制備超大尺寸的樣品，樣品可達8英寸。
該系統(tǒng)基于nanoPVD-S10A的成熟設(shè)計和性能，在相同腔體的設(shè)計基礎(chǔ)上對nanoPVD-S10A進行了調(diào)整，使濺射源正對襯底。結(jié)合襯底旋轉(zhuǎn)，即使在生長8英寸的超大樣品時也可獲得很高的樣品均勻度。與nanoPVD-S10A一樣，濺射源采用水冷式設(shè)計，可以持續(xù)高功率運行，可實現(xiàn)共濺射等功能。nanoPVD-S10-WA是一款接受半定制化的設(shè)備，如有特殊需求請聯(lián)系我們進行詳細討論。
主要特點： ◎ 可制備8英寸超大樣品 ◎ 水冷式2英寸標準濺射源 ◎ MFC流量計高精度控制過程氣體 ◎ 直流/交流濺射電源可選 ◎ 全自動觸屏控制 ◎ 可設(shè)定、存儲多個生長程序 ◎ 本底真空<5×10-7mbar ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設(shè)計 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定 | 選件： ◎ 機械泵類型可選 ◎ 腔體快速充氣 ◎ 自動高分辨壓力控制 ◎ 增加過程氣體 ◎ 升至雙濺射源 ◎ DC/RF電源可選 ◎ 濺射電源切換 ◎ 共濺射方案 ◎ 晶振膜厚測量系統(tǒng) |
臺式高質(zhì)量金屬\有機物熱蒸發(fā)系統(tǒng) - nanoPVD T15A
nanoPVD T15A是Moorfield Nanotechnology推出的 nanoPVD系列中的型號，高腔體設(shè)計方案專為熱蒸發(fā)而設(shè)計，確保薄膜均勻度，可生長4英寸的薄膜樣品。近一年時間在英國安裝就有十幾套，劍橋大學(xué)、巴斯大學(xué)、?？巳卮髮W(xué)、倫敦瑪麗女王大學(xué)等都是該設(shè)備的用戶。
系統(tǒng)可以配備低溫蒸發(fā)(LTE)和標準電阻蒸發(fā)源，分別用于沉積有機物和金屬薄膜。低熱容有機物蒸發(fā)源具有高精度的控制電源，可以的控制蒸發(fā)條件制備高質(zhì)量的有機物薄膜。金屬源采用盒式屏蔽模式，可以有效的減少交叉污染等問題。智能的控制系統(tǒng)和靈活的配置方案使PVD-T15非常適合應(yīng)用于材料研究領(lǐng)域。
nanoPVD T15A可用于制備高質(zhì)量的金屬、有機物薄膜和異質(zhì)結(jié)等材料?？蓱?yīng)用于傳統(tǒng)材料科學(xué)和新型的OLED（有機發(fā)光二管）、OPV（有機光伏材料）和 OFET（有機場效應(yīng)管）領(lǐng)域。
主要特點： ◎ 可選金屬、有機物蒸發(fā)源 ◎ 高縱橫比的腔體，增加樣品均勻性 ◎ 全自動觸屏控制系統(tǒng) ◎ 可設(shè)定、儲存多個蒸發(fā)程序 ◎ 4”基片 ◎ 本底真空<5*10-7mbar ◎ 維護簡單 ◎ 完備的安全性設(shè)計 ◎ 性能穩(wěn)定 | 選件： ◎ 機械泵類型可選 ◎ 樣品腔快速充氣 ◎ 自動高精度壓力控制 ◎ 多4個有機蒸發(fā)源 ◎ 多2個金屬蒸發(fā)源 ◎ 500℃襯底加熱 ◎ 襯底旋轉(zhuǎn)，Z向調(diào)節(jié) ◎ 晶振測量系統(tǒng) |
典型配置指標：
金屬沉積：雙金屬源與擋板和晶振系統(tǒng)
有機物沉積：四個低溫蒸發(fā)源與擋板和晶振系統(tǒng)?！ ?/p>
金屬/有機物沉積：兩個金屬源，兩個有機源與擋板和晶振系統(tǒng)。
發(fā)表文章
A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density
Jin, J., et al. Journal of Physics D: Applied Physics 2018 DOI: 10.1086/1361-6463/aaa4a2
作者報道了利用用氧化鋅和PtOx肖特基接觸界面制備高速肖特基二管整流器的方法。為此，作者使用PE-ALD沉積ZnO，使用Moorfield nanoPVD-S10A系統(tǒng)通過射頻濺射制備金屬層和PtOx接觸層，包括反應(yīng)濺射模式(通過含氧氣氛沉積Pt)。所制備的器件具有適用于噪聲敏感和高頻電子器件的性能。
用戶單位
劍橋大學(xué) | 帝國理工學(xué)院 | ?？巳卮髮W(xué) |
巴斯大學(xué) | 諾森比亞大學(xué) | 倫敦瑪麗女王大學(xué) |
相關(guān)產(chǎn)品：
臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列—nanoCVD：http://www.buyu5683.com/product/2020061627.shtml
臺式超二維材料等離子軟刻蝕系統(tǒng)—nanoETCH：http://www.buyu5683.com/product/2020061629.shtml
多功能高磁控濺射噴金儀—nanoEM：http://www.buyu5683.com/product/2020062924.shtml
臺式氣氛\壓力控制高溫退火系統(tǒng)—ANNEAL：http://www.buyu5683.com/product/2020062923.shtml
