摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管芯片包括：襯底、依次覆蓋在襯底上的N型層、多量子阱和P型層，N型層、多量子阱和P型層上設(shè)有不連續(xù)的N型刻蝕區(qū)域，N型刻蝕區(qū)域包括刻蝕平面和臺階，刻蝕平面處于N型層上，臺階為依次經(jīng)過N型層、多量子阱和P型層的斜面；發(fā)光二極管芯片還包括：電流阻擋層、N電極和P電極；電流阻擋層包括第一個覆蓋部分和第二個覆蓋部分，電流阻擋層的第一個覆蓋部分覆蓋在多個不連續(xù)的N型刻蝕區(qū)域間未刻蝕的P型層和臺階上，電流阻擋層的第二個覆蓋部分覆蓋在P型層上一連續(xù)未刻蝕的區(qū)域；N電極覆蓋電流阻擋層的第一個覆蓋部分以及不連續(xù)的N型刻蝕區(qū)域的刻蝕平面。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人張威;林凡;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201410424185.9
- 申請時間2014年08月26日
- 申請公布號CN104218133A
- 申請公布時間2014年12月17日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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