摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述方法包括：在藍(lán)寶石襯底上沉積二氧化硅層；采用光刻膠掩膜及刻蝕工藝刻蝕二氧化硅層直至裸露出部分藍(lán)寶石襯底，形成多個(gè)凸起；在藍(lán)寶石襯底設(shè)置凸起的表面濺射氮化鋁層；除去凸起頂面的光刻膠掩膜以及光刻膠掩膜上濺射的氮化鋁；采用濕法腐蝕法除去凸起。當(dāng)在圖形化襯底上生長(zhǎng)氮化鎵層時(shí)，空心結(jié)構(gòu)成為空氣間隙，氮化鎵材料折射率為2.5，氮化鋁材料折射率為2.0，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人桂宇暢;張建寶;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410411366.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年08月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104332541A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年02月04日
- 分類號(hào)H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;
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